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2SK3756(TE12L,F
- 射频 MOSFET,N沟道,7.5V,1A,470MHz,SOT89 - 2SK3756TE12LF
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2SK3756(TE12L,F
制造商型号:
2SK3756(TE12L,F
制造商:
Toshiba
描述:
射频 MOSFET,N沟道,7.5V,1A,470MHz,SOT89
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型功率增益
12 dB
安装类型
表面贴装
宽度
2.5mm
封装类型
2-5K1D,SC-62
尺寸
4.6 x 2.5 x 1.6mm
引脚数目
3
最大功率耗散
3 W
最大栅源电压
3 V
最大漏源电压
7.5 V
最大连续漏极电流
1 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
UHF、VHF
通道类型
N
配置
单
长度
4.6mm
高度
1.6mm
手机网站相关详细信息:
2SK3756(TE12L,F
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
2SK3756(TE12L,F
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: 2SK3756(TE12L,F 品牌: Toshiba 备注: 射频 MOSFET,N沟道,7.5V,1A,470MHz,SOT89
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Q Q:
800152669
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