标准包装 : | 100 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 8.8 毫欧 @ 38A, 4V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 75A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 170nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 9800pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 3W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商设备封装 : | TO-3P-3, MP-88 |
包装 : | 管件 |