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2SK2967(F) Toshiba America Electronic Components MOSFET N-CH 250V 30A TO3P0
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2SK2967(F) Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN1071
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2SK2967(F)
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK2967(F) - MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

详细描述:通孔 N 沟道 250V 30A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)

型号:2SK2967(F)
仓库库存编号:2SK2967(F)-ND
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Toshiba
MOSFET,Nch,250V/30A/0.068ohm,TO-3P(N)
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2SK2967(F)|Toshiba2SK2967(F)
Toshiba
MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
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Toshiba
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Toshiba
MOSFET,Nch,250V/30A/0.068ohm,TO-3P(N)
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2SK2967(F)|Toshiba
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SK2967(F)
制造商型号: 2SK2967(F)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 2SK2967
Mosfets Prod Guide
产品相片 TO-3P-3,TO-247-3
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)68 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)132nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5400pF @ 10V
功率 - 最大值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)

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