2SK2231(TE16R1,NQ),2SK2231(TE16R1,NQ)|Toshiba代理分销-2SK2231TE16R1NQ原装现货,PDF下载
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Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK2231(TE16R1,NQ) - MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD

详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD

型号:2SK2231(TE16R1,NQ)
仓库库存编号:2SK2231TE16RQCT-ND
别名:2SK2231TE16RQCT
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无图2SK2231(TE16R1 NQ)
Toshiba
MOSFET N-Ch 60V 5A Rdson 0.12 Ohm
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Toshiba
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
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2SK2231(TE16R1,NQ)|Toshiba
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2SK2231(TE16R1,NQ)
制造商型号: 2SK2231(TE16R1,NQ)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 2SK2231
Mosfets Prod Guide
产品相片 TO-263
产品目录绘图 2SJ377, 2SK2231 PIN
2SJ377, 2SK2231 Side
2SJ377, 2SK2231 Front
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)370pF @ 10V
功率 - 最大值20W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PW-MOLD
产品目录页面1653 (CN2011-ZH PDF)
其它名称2SK2231TE16R1NQ
2SK2231TE16RQTR

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