2SJ668(TE16L,NQ,2SJ668(TE16L,NQ|Toshiba代理分销-2SJ668TE16LNQ原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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2SJ668(TE16L1,NQ)
库存编号:2SJ668(TE16L1NQ)-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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2SJ668(TE16L1,NQ)
库存编号:2SJ668		Toshiba America Electronic ComponentsTransistor: P-MOSFET, unipolar, -60V, -5A, 20W, DPAK, ESD0
2000起订		2000+
￥4.96
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
2SJ668(TE16L1,NQ)Toshiba America Electronic ComponentsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR80
1起订		1+
12+
41+
￥54.86
￥34.29
￥20.58
1-3周购买 购买
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2SJ668%28TE16L%2CNQ Toshiba MOSFET，P沟道，60V，5A，逻辑，PW-Mold 查看库存、价格及货期
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无图2SJ668(TE16L,NQ
Toshiba		MOSFET，P沟道，60V，5A，逻辑，PW-Mold
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Toshiba - 2SJ668(TE16L,NQ) - Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装
制造商零件编号：
2SJ668(TE16L,NQ)
品牌：
Toshiba
库存编号：
415-174
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无图2SJ668(TE16L,NQ
Toshiba		MOSFET，P沟道，60V，5A，逻辑，PW-Mold
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无图
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2SJ668(TE16L,NQ
制造商型号： 2SJ668(TE16L,NQ
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，P沟道，60V，5A，逻辑，PW-Mold
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs15 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds700 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度5.5mm
封装类型PW Mold
尺寸6.5 x 5.5 x 2.3mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散20000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.17 Ω
最大连续漏极电流5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置单
长度6.5mm
高度2.3mm

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