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2SJ632-TD-E
- 场效应管 MOSFET P沟道 60V 2A SOT89 - 2SJ632TDE
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2SJ632-TD-E
制造商型号:
2SJ632-TD-E
制造商:
SANYO
描述:
场效应管 MOSFET P沟道 60V 2A SOT89
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P沟道 60V 2A SOT89
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 2A
漏源电压, Vds: -60V
在电阻RDS(上): 360mohm
电压 @ Rds测量: -10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2.6V
功耗, Pd: 3.5W
封装类型: SOT-89
针脚数: 3
功耗, Pd: 3.5W
封装/箱盒: PCP
漏极电流, Id 最大值: -2A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: -20V
表面安装器件: SMD
手机网站相关详细信息:
2SJ632-TD-E
旗下站点
www.szcwdz.cn
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2SJ632-TD-E
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: 2SJ632-TD-E 品牌: SANYO 备注: 场效应管 MOSFET P沟道 60V 2A SOT89
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