2SJ412(Q),2SJ412(Q)|Toshiba代理分销-2SJ412Q原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | 2SJ412 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | 2SJ412(Q) |
| 产品目录绘图 | 2SJ412, 2SK2401 Bottom 2SJ412 Front |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 16A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 210 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 60W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商器件封装 | TO-220FL |
| 其它名称 | 2SJ412Q |
