| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 2SJ380(F) | Toshiba | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS 详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS 型号：2SJ380(F) 仓库库存编号：2SJ380(F)-ND | 无铅 | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： 2SJ380(F) 品牌： Toshiba 库存编号： 185-401 | 查看其他仓库 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | 2SJ380(F Toshiba | MOSFET,Pch,100V/12A/0.21ohm,TO-220NIS 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | 2SJ380(F) Toshiba | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| 2SJ380(F) Toshiba | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS | 查价格库存 查看详细 |
| 2SJ380(F Toshiba | MOSFET,Pch,100V/12A/0.21ohm,TO-220NIS 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | 2SJ380 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 210 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 35W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220NIS |
