数据列表 | 2SD2562 |
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标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 15A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 2.5V @ 10mA,10A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5000 @ 10A,4V |
功率 - 最大值 | 85W |
频率 - 跃迁 | 70MHz |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-3PF |