数据列表 | 2SD2136 View all Specifications |
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产品相片 | MT-3 Pkg |
产品目录绘图 | MT-3 Package Side |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带盒(TB) |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 300µA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1A,4V |
功率 - 最大值 | 1.5W |
频率 - 跃迁 | 220MHz |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 3-SIP |
供应商器件封装 | MT-3-A1 |
产品目录页面 | 1487 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2SD2136-R(TA) 2SD21360RATB |