数据列表 | 2SC3858 |
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产品相片 | 3-ESIP |
标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 17A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 200V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 2.5V @ 1A,10A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 8A,4V |
功率 - 最大值 | 200W |
频率 - 跃迁 | 20MHz |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 3-ESIP |
供应商器件封装 | MT-200 |
其它名称 | 2SC3858 DK |