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2SB1565FU6E|ROHM Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2SB1565FU6E
制造商型号： 2SB1565FU6E
制造商： ROHM Semiconductor
描述： 两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 60V 3A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:ROHM Semiconductor
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:PNP
集电极—基极电压 VCBO:- 60 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V
集电极—射极饱和电压:- 1.5 V
最大直流电集电极电流:- 6 A
增益带宽产品fT:15 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220
集电极连续电流:- 3 A
直流电流增益 hFE 最大值:320
最大功率耗散:25 W
最小工作温度:- 55 C
封装:Bulk

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