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2SAR522UBTL
制造商型号： 2SAR522UBTL
制造商： ROHM Semiconductor
描述： 两极晶体管 - BJT GP Amplification Trans
技术参考：

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产品信息

制造商:

ROHM Semiconductor

RoHS:

符合

晶体管极性:

PNP

集电极—基极电压 VCBO:

- 20 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:

- 20 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

- 5 V

集电极—射极饱和电压:

- 0.3 V

增益带宽产品fT:

350 MHz

直流集电极/Base Gain hfe Min:

120 mA

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

UMT3F

集电极连续电流:

- 200 mA

直流电流增益 hFE 最大值:

560 mA

最大功率耗散:

200 mW

封装:

Reel

工厂包装数量:

3000

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