型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
2SA950-O%28F | Toshiba | Semi,Descrete,Transistor | 查看库存、价格及货期 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: 2SA950-O(F) 品牌: Toshiba 库存编号: 601-1315 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | 2SA950-O(F Toshiba | Semi,Descrete,Transistor![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | 2SA950-O(F Toshiba | Semi,Descrete,Transistor![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.1mm | |
封装类型 | TO-92 | |
尺寸 | 4.7 x 5.1 x 4.1mm | |
引脚数目 | 3 | |
晶体管类型 | PNP | |
最大功率耗散 | 600 mW | |
最大发射极-基极电压 | 5 V | |
最大直流集电极电流 | 0.8 A | |
最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
最大集电极-发射极饱和电压 | 0.7 V | |
最大集电极-基极电压 | 35 V | |
最小直流电流增益 | 100 V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
最高工作频率 | 120 MHz | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 双极小信号 | |
配置 | 单 | |
长度 | 5.1mm | |
高度 | 4.7mm |