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产品信息

	安装类型	通孔
	宽度	4.8mm
	封装类型	TO-3PN
	尺寸	19 x 15.9 x 4.8mm
	引脚数目	3
	晶体管类型	PNP
	最大功率耗散	80000 mW
	最大发射极-基极电压	5 V
	最大直流集电极电流	8 A
	最大集电极-发射极电压	120 V
	最大集电极-发射极饱和电压	2 V
	最大集电极-基极电压	120 V
	最小直流电流增益	80 V
	最高工作温度	+150 °C
	最高工作频率	30 MHz
	每片芯片元件数目	1
	类别	双极功率
	配置	单
	长度	15.9mm
	高度	19mm

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• 型号: 2SA1940-O(Q 品牌: Toshiba 备注: Transistor

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