| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 2N7002DW H6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | 2N7002DW H6327 Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363  | 查价格库存 查看详细 |
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 | 2N7002DWH6327 Infineon | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | 2N7002DWH6327XT Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS Small Signal Transistor 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： 2N7002DWH6327 品牌： Infineon 库存编号： 827-0002 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | 2N7002DW Datasheet |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 300mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | 2N7002DW H6327-ND 2N7002DWH6327 2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596 |
