2N3906-G,2N3906-G|Comchip Technology代理分销-2N3906G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | 2N3906-G Datasheet |
|---|---|
| 标准包装 | 10,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
